技术参数 分辨率：1024×1024像素尺寸：15µm×15µm光谱范围：400～1000nm灵敏度（@550nm）：2.7V/lux·s动态范围：70dB，85dB（双斜）QE×FF：＞45%满阱容量：＞200Ke-平均暗电流（@室温）：100pA/cm2（实测20pA/cm2）FPN：＜0.8%offullwell（Global）PRNU：＜2%offullwell（Global）输出帧频：10帧/s（实测可达20帧/s）抗辐射总剂量：100krad(Si)（实测已达300krad(Si)）片上ADC：12位ESD：1500V功耗：350mW封装形式：JLCC84外形尺寸：30.08mm×30.08mm×3.27mm工作温度：-40℃～85℃
功能描述 该技术是数字、模拟混合超大规模集成电路系统技术，是信息获取与处理领域中图像处理技术的重要组成部分，在消费电子、工业生产、科学研究、空间探索、生物医学、汽车、个人移动产品等各个领域有着广泛的应用。技术开发单位长期从事空间用CMOS图像传感器的研制，已突破了高灵敏度与高动态设计技术、高抗辐射性能设计技术、高精度低噪声读出电路设计技术、高速高精度片上模数转换器设计技术、智能窗口时序控制电路设计技术等关键技术，研制了我国首款百万像素抗辐射CMOS图像传感器，在灵敏度、动态范围、暗电流、噪声、帧频等性能方面具有大幅提升，并进行了批量生产工作。
联系方式 马悦 010-67968115-8867/13810691020
