CIGS薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到0.6$/W。
本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收层CIGS薄膜为p型半导体，其表面贫Cu呈n型与缓冲层CdS和i-ZnO共同成为n层，构成浅埋式p-n结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴，被p-n结的自建电场分离，从而输出电能。工艺流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法沉积CIGS薄膜预置层→快速加热硒化处理（RTP）→化学水浴法沉积CdS或ZnS→本征ZnO溅射沉积→ZnO:Al透明导电膜的溅射沉积→Ni/Al电极沉积，等。
小面积电池指标：效率8.89%(FF=0.62,Voc=423mV，Jsc=33.74mA/cm2)；
10×10cm2面积上电池指标：效率6.1%。
实验室样品已经开发出来，技术水平处于国内领先地位。
现投资生产的CIGS薄膜太阳电池，都采用真空法，低成本的非真空法技术将成为升级技术。
建立1MW的中试线，以平均转换效率6％、成品率80％计算，年产值为2240万元（28元/Wp），利润640万元(成本20元/Wp，)。随效率的提高和生产规模的扩大，效益可以大幅度增加。
申请专利号 200810053356.6；201010150362.0。
