成果简介成果名称：通讯InGaAs/InP PIN光电探测器芯片
成果拥有单位：厦门大学
成果简介：
特点：暗电流低。利用异质结分离效应，光敏直径75微米芯片的暗电流可达到0.1nA。光响应度高。1310nm 达0.85～0.90 A/W,1550nm达0.95～1.05 A/W。频率高。光敏直径75微米芯片的截止频率为2.5GHz以上。性能可靠。采用氧化铝为钝化掩膜，芯片性能在10年以上。制造成本低。采用开管锌扩散工艺，大大节省了成本和时间。
本芯片制造技术已经逐渐成熟，完成了实验室小试、中试，工业化试生产，以及小批量供应国内外用户使用得到好评。正在进行专利申请，制定产品的企业标准，并进行项目鉴定。光电探测器是将光信号转换为电信号的主要器件，广泛应用在光纤通信网络的光交换机、光接收端机、中继站，移动通信网络的光直放站，计算机网络中的光纤收发器、光纤网卡、光交换机、光集线器，有线电视网络的光接收机、光工作站、中继站等设备中和半导体激光器稳定驱动电路中。总之，只要有光和光纤的地方就需要有光电探测器。投产条件：作伙伴最好是半导体器件厂家，已经具有平面工艺生产线设备。投产资金：600～1000万元(含设备和流动资金，不含土建)。预期经济效益：成本预算：国产2英寸InGaAs/InP 外延片约 6000元/片，进口约8000～12000元/片。芯片工艺成本约1000元/片。芯片产值预计：每个外延片约有8100个管芯，按成品率75%计算，可产管芯6000只。以最常见的光敏直径75微米芯片为例，最低单价管芯1.5美元/只。一片2英寸外延片可获产值约7万元，利润约4～5万元。按设备能力每天至少可生产一片，如果有定单可在2年内回收投资。
合作方式：技术转让或合作开发。
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