【技术领域】微电子与电子信息
【技术开发单位】中国科学院半导体研究所
【技术简介】采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法，在蓝宝石或碳化硅衬底上外延高性能氮化镓（GaN）基电子材料。
【技术特点】采用本技术制备GaN基电子材料，生长速度快，产量高，质量、重复性和均匀性好。利用制备材料已研制出国内第一支GaN基HEMT和X波段GaN基功率器件，国内第一块GaN功率MMIC，以及国内领先、国际先进的GaN基功率器件。
【技术水平】已达到国内领先、国际先进水平，部分指标达到国际领先水平，GaN基电子材料主要指标如下：
（1）尺寸：2英寸或3英寸；
（2）平均方块电阻：270Ω/□～400Ω/□；
（3）方块电阻不均匀性：＜3％ ；
（4）室温二维电子气迁移率：＞1800cm2/Vs；
（5）10μm×10μm范围表面粗糙度：＜0.5nm。
【可应用领域和范围】该材料适于研制高频、大功率GaN基功率器件和单片集成电路，在手机基站、卫星通信、航空航天等领域具有重大应用前景和市场潜力。
【专利状态】已获得专利14项，申请专利1项。
【技术状态】小批量生产阶段
【合作方式】技术转让 股权投资 风险投资 合作开发
【投入需求】外延材料生长的MOCVD设备、测试设备及超净工艺间。
【预期效益】目前碳化硅衬底的GaN基电子材料，3英寸的大约10万元/片，2英寸的大约5～8万元/片。利用本技术建立2～3英寸GaN基电子材料研制平台，可满足国内器件和电路研制单位对GaN基电子材料的需求。按照两台（2英寸和3英寸各一台）3片MOCVD系统估计，每年可生长2英寸和3英寸外延片各1500片，预计经济效益可超过2亿元。
【联系方式】王晓亮 010-82304170 13910513723
