【技术简介】
（1）射频控制类集成电路技术。采用成熟的0.5um PHEMT技术加工的PHEMT具有较低的沟道电阻，较高的击穿电压，加上精确的金属膜电阻技术和通孔技术，可以实现低插损、高隔离的射频开关芯片设计。
（2）GaAs多功能IC的设计技术。在IC设计中，采用E/D PHEMT技术，将增强型和耗尽型器件集成到一个工艺平台上，提高产品集成度，减小芯片面积，提高产品性价比。
（3）功率放大器的线性补偿和温度补偿技术。通过在HBT基极有源偏置电路上引入电容元件，对器件基极大信号工作下的射频电流分量进行补偿；通过引入镜相电流源的办法，对产品高、低温下的直流偏置点进行补偿，并在设计中模拟整个放大器的高、低温线性特性，保障器件高低温工作特性和可靠性。
（4）射频多芯片多功能集成电路。采用多层PCB和LTCC作为电路的互连基板技术，采用三维电磁场分析软件HFSS进行整板设计的仿真和优化。
【技术水平】技术持有单位拥有核心的移动通信用高端射频电路设计技术，设计、测试水平国内领先，是中兴、华为等通信设备商的唯一国内供应商，打破了国外垄断。
【可应用领域和范围】射频集成电路及模块主要应用于移动通信领域，是未来3G、4G移动通信设备关键元器件之一。
【专利状态】已获得专利2项
【技术状态】批量生产阶段
【合作方式】合作开发
【投入需求】平台建设、设备仪器采购等共需投入14000万元。
【预期效益】达产后，形成年产各类射频开关、放大器、多芯片多功能SIP集成电路等9200万只的研发生产能力，正常生产年年销售收入为3.95亿元，利润5000万元。
【联系方式】刘洋 025-86858681 13913929423
