美国国防部的科学家们发明了一种能够增强记忆力的大脑植入物，如果这项全新的技术能够得到广泛应用的话，我们很快就可以接触到这种植入物，并且更好地回忆起往事。据报道，这种新型大脑植入物的电极阵列能够帮助人们挖掘脑海里最深的记忆。

    美国国防高级研究计划局(DARPA)的研发团队目前主要的目的是为了帮助那些遭受创伤性脑损伤的人，对那些经常出门忘带钥匙的人也会有所帮助。项目经理 Justin Sanchez 在一份新闻稿中表示，每个人都有过试着记住一长串项目或者抵达某个地方的复杂路线的经验，现在，我们发现植入式神经技术能够促进这些功能在大脑中的表现。

    这是一次创新的过程，它可以“读取”大脑中的神经过程，并看到我们的思维是如何形成和找回记忆的，甚至能够预测我们的记忆能力是从什么时候开始让人失望的。Sanchez 说，他的团队目前正在寻找点刺激的最佳时机，比如记忆是什么时候形成的，又是什么时候开始找回的。

    该研究团队将一个小型电极阵列放置到志愿者脑海中的一个负责形成声明式记忆的区域中，这个区域主要用于回忆一些短而简单的记忆，比如名单列表、空间记忆和导航等等。所有参与这项研究的志愿者并非因为记忆问题而痛苦，他们因为其他的神经系统问题而进行了脑部手术。经过这项测试之后，他们的记忆力得到了非常明显的提高。

    到目前为止，研发团队还没有公布这项研究的全部细节，最终的研究成果将会等待评审之后发表在科学杂志上，而其中的一部分研究成果则已经发表在了美国国防高级研究计划局自己开设的一个技术论坛上。

    Sanchez 在接受采访的时候表示，我们还有很多问题需要解决，比如人类的大脑是如何对声明式记忆进行编码的，当然，早期的一些实验已经阐述了部分问题，并且在帮助人类克服某些类型的记忆障碍方面拥有很大的潜力。

    据了解，美国国防高级研究计划局的科学家们也在寻找通过刺激大脑来实现辅助学习和增强记忆力的方法。我们已经知道，“重复回放”是一个可以帮助我们学习的特别技能，研究团队将会在今年的晚些时候对那些发生在脑海里的回放过程进行进一步的研究。